PMS152E应广单片机选型指南：参数、引脚、封装与低功耗设计

PMS152E 有什么、没有什么？

PMS152E 的定位一句话：6 个 IO、1.5KW OTP、96B SRAM，用 NILRC 和三路 11 位 LPWM 换取了比同系列更低的待机功耗和更有针对性的 PWM 输出，但牺牲了 IO 数和 EEPROM。

低功耗能省到多少？stopexe 和 stopsys 怎么选？

结论先行：需要比较器或 Timer16 唤醒的，用 stopexe（3.0µA@5.0V，手册条件为停用 IHRC）；只需要 IO 或 NILRC 定时唤醒、追求极致待机的，用 stopsys（0.2µA@5.0V）。两者的核心区别不在电流数字，而在振荡器状态和唤醒源。stopexe 停止的是 CPU 与系统时钟，已启用的 Timer16、比较器和 NILRC 仍可工作；stopsys 把 IHRC/ILRC 关闭，仅保留 NILRC 以支持 Timer2/Timer3 定时唤醒。

2.0V 就能跑 8MHz 吗？

不能。PMS152E 工作电压 2.0~5.5V，但 IHRC/2（8MHz）要求 VDD≥3.0V，IHRC/4 要求 ≥2.5V，IHRC/8 要求 ≥2.0V。另外 IHRC 校准的 VDD 参数最低只到 2.3V，2.0~2.3V 区间高频偏差可能超出通常的 1%。

注：上述电压分档与校准区间以手册 V0.03 的时钟/电气特性表为准；本文尚未取得对应页码，正式设计前请回查原表。

LPWM、比较器、定时器能做什么，坑在哪？

三路 11 位 SuLED LPWM：这颗芯片最有针对性的外设

LPWMG0→PA3，LPWMG1→PA4，LPWMG2→PA0/PA7。LPWMG0 与 LPWMG1 带 OR/XOR 逻辑，可产生互补非重叠带死区波形，适合小型半桥/全桥驱动。死区功能暂不支持仿真。

硬件比较器：可以测 VDD，但唤醒有门槛

负输入可选 PA3/PA4/PA6/1.20V Bandgap/Vinternal R；正输入可选 PA4/Vinternal R。用 Bandgap 1.20V 对 Vinternal R 比较，可以反推 VDD，适合电池低压检测。但 Bandgap 不适用于比较器唤醒。

定时器：Timer2 和 Timer3 的时钟源不一样

Timer2 支持 PA0/PA4 边沿，Timer3 不支持。Timer2 周期模式占空比固定 50%；Timer3 的占空比不宜直接套用 50% 结论。两者都只设计周期模式，不要读计数寄存器。

Timer2、LPWM、比较器测 VDD 怎么配置？

以下代码摘录自数据手册，仅作配置示意；编译前请对照手头版本手册的寄存器定义。

示例代码：Timer2 周期波形

void FPPA0 (void)
{
  .ADJUST_IC SYSCLK=IHRC/2, IHRC=16MHz, VDD=5V;
  tm2ct = 0x00;
  tm2b = 0x7f;
  tm2s = 0b0_00_00001;
  tm2c = 0b0001_10_0_0;
  while(1) { nop; }
}

示例代码：LPWM 单路输出初始化

注意：下面这段示例把 LPWMG1 设为 disable，只演示 LPWMG0 从 PA3 输出；要做正文说的“G0/G1 互补带死区”，需要按手册启用 LPWMG1 并映射到 PA4，本文不提供未核实的伪指令写法。

#define dead_zone  10
#define LPWM_Pulse 50

void FPPA0 (void)
{
  .ADJUST_IC SYSCLK=IHRC/16, IHRC=16MHz, VDD=5V;
  LPWMG0DTL = 0x00; LPWMG0DTH = LPWM_Pulse + dead_zone;
  LPWMG1DTL = 0x00; LPWMG1DTH = dead_zone;
  LPWMG2DTL = 0x00; LPWMG2DTH = LPWM_Pulse + dead_zone*2;
  LPWMGCUBL = 0x00; LPWMGCUBH = 100;
  $ LPWMGCLK Enable, /1, sysclk;
  $ LPWMG0C Inverse, LPWM_Gen, PA3, gen_xor;
  $ LPWMG1C LPWMG1, disable;
  $ LPWMG2C PA0;
  while(1) { }
}

示例代码：比较器测 VDD

$ GPCS  VDD*12/40;
$ GPCC  Enable, BANDGAP, P_R;
if (GPC_Out) { /* VDD > 4V */ }
else         { /* VDD < 4V */ }

PMS152E 引脚图与封装怎么选？

先说结论：不要按“6 个 IO”去选封装。SOP8 才能把 6 个 IO 全部引出；SOT23-6 只有 6 个引脚，扣掉 VDD 和 GND 之后，对外可用 IO 必然少于 6 个。

另外两点和封装/引脚强相关：PA5 在烧录时兼作 VPP 引脚；模拟输入引脚需用 padier 关闭数字输入，否则会有漏电。

官方明确不建议的 3 件事是什么？

1. 不建议 AC 阻容降压供电。2. 不建议高 EFT 应用。3. 不适合生命安全或紧急安全的关键应用。前两条是应广官方产品页与数据手册注意事项里的原文（“不建议使用于 AC 阻容降压供电或有高 EFT 要求之应用”），第三条是应广的通用免责声明——它们不在“特性”第一条，特此更正。

• 工作温度上限 85°C：这是消费级范围，覆盖不了 -40~105°C / 125°C 的扩展工业温度与汽车级要求。
• 没有 EEPROM，需要参数存储就换 PGS152 或外挂。
• OTP 烧录后不可修改，量产前必须用 ICE 和样片验证。
• 模拟输入引脚需用 padier 关闭数字输入，防止漏电。
• IO 输出低电位时，弱上拉自动关闭。

PMS152E 怎么烧录？5S-P-003X 与最小系统

1. 先确认封装与后缀：S08A / S08B 是 SOP-8，SOT23-6 的后缀以官方订购信息为准。
2. 用 ICE + 样片验证：注意 IHRC 高频要在对应 VDD 分档下验证（见时钟电压一节）。ICE 型号与适配关系见官方技术页的 ICE 对照表。
3. 编译出烧录文件：使用 PADAUK 官方 IDE / Mini-C（版本以官方下载页为准）。
4. 烧录：5S-P-003X 或以上版本写入器；烧录时 PA5 作为 VPP 引脚。接线按 APN022 在 PA5 串联电阻，抑制半自动机台杂讯导致的烧录不良与引脚击穿。
5. 小批量试烧后再量产：OTP 不可擦写，烧错即报废，良率确认前不要直接上量。

最小系统

• VDD 去耦按常规 0.1µF + 1µF，具体以手册应用电路与 APN 为准。
• 烧录接口需要引出 VDD / GND / PA5(VPP) 及通信脚。
• 未用 IO 的处理以手册 IO 章与相关 APN 为准，本文不替手册下结论。

设计前必须确认的 9 项清单

以下 9 项是手册文本层无法完全确认、或正文与寄存器表存在矛盾的地方。任何一项无法确认，正确做法是查 APN、咨询 FAE 或实测，不是猜。具体 APN 编号与官方文档链接见数据手册与官方文档一节。

8 个问题决策树

如果 10 秒判断还不够确定，用这 8 个问题走一遍。

替代型号：和 PMS152 / PGS152 怎么选？

一句话：要 EEPROM → PGS152。要更多 IO → PMS152。要 NILRC 低功耗唤醒 → 只有 PMS152E。要 1.8V 或 LVD → PMS152 / PGS152。

关于“能不能直接替换”：PMS152E 与 PMS152/PGS152 在 IO 数、PA5 模式、NILRC 支持上不同，不能只对封装就换料。跨品牌 pin-to-pin 替代还须逐项核对电压、IO、外设与烧录工具；本文不列未经核实的替代型号，需要替代清单请以官方差异表 + 目标型号数据手册为准。

PMS152E 价格与购买渠道

PMS152E 由逐高高电子代理商提供。具体价格、封装库存与批量报价，请访问 www.zicoic.com 查看官网介绍，或直接联系逐高高电子获取当日报价。

参考价随数量、批次变动，不构成报价；批量与含税价以代理商当日报价为准。选型时请按你实际要用的封装后缀（S08A / S08B / SOT-23-6）询价。

数据手册与官方文档下载

以下链接检索于 2026-10-20。官方文档会改版，若链接失效请从产品页进入。本文未取得手册页码，参数页码待补——正式设计前请以 PDF 原文为准。

6 个常见误区（逐条纠正）

误区 1：2.0V 就能跑 8MHz

纠正：IHRC/2 需 ≥3.0V，IHRC/4 需 ≥2.5V，IHRC/8 需 ≥2.0V。2.0~2.3V 还叠加校准不覆盖的问题。

误区 2：SOT23-6 也有 6 个 IO

纠正：6 引脚封装不可能 6 IO + 电源。SOP8 才能 6 IO 全引出。

误区 3：OTP 可以反复烧录

纠正：一次性。代码定型前必须样片验证，没有“再烧一次”。

误区 4：LPWM 死区可以仿真

纠正：官方明确“暂不支持仿真”。必须硬件实测。

误区 5：ILRC / NILRC 可以当精准时钟

纠正：漂移大，不建议用于精准时序。需要精准用 IHRC 并校准。

误区 6：停用 IHRC 时测的 3.0µA 就是我的待机电流

纠正：3.0µA 是 stopexe 在停用 IHRC 条件下的典型值；保持 IHRC 运行会高一个量级。设计值必须按自己的配置实测。

FAQ

术语表

OTP

一次性可编程。烧录后不可擦写。

IHRC / ILRC / NILRC

内部高频 16MHz / 低频 / 超低频 RC 振荡器。NILRC 比 ILRC 更慢，专用于低功耗唤醒；低频典型值见手册电气特性表。

LPWM / SuLED LPWM

三路 11 位 PWM，带 OR/XOR 逻辑，可产生互补死区波形。

LVR

低电压复位，14 段可选（2.0~4.5V）。

Bandgap / Vinternal R

内部 1.20V 基准 / 电阻分压参考。Bandgap 不适用于比较器唤醒。

stopexe / stopsys

省电 / 掉电模式。stopexe 3.0µA（停用 IHRC 条件），stopsys 0.2µA。设计值须实测。

APN

Application Note。官方要求使用 IC 前必读，具体编号见“数据手册与官方文档”。